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发布日期:2021年12月01日
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绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

上海贝岭公司的IGBT产品,涵盖了平面高鲁棒特性系列, 基于沟槽场截止型(Trench Field Stop)技术的高效系列,结合了超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process)以及局部寿命控制等技术,显著改善了动静态性能折中,大幅提高了器件的功率密度,使器件可耐工作温度更高,转换效率更大,使用寿命更长。

产品选型表
Part No.TypeGradeModeVCES(Max.)PTOT(Max.)Freewheeling diodeIC (A) (@ Tc = 100 °C) maxIC (A) (@ Tc = 25 °C) maxVCE(sat) (V) typQg (nC) typEon (mJ) typEoff (mJ) typIF (A) (@ Tc = 100 °C) maxIF (A) (@ Tc = 25 °C) maxVF (V) typIrrm(A) typQrr (nC) typPackageReferenceApplication
Part No.TypeGradeModeVCES(Max.)PTOT(Max.)Freewheeling diodeIC (A) (@ Tc = 100 °C) maxIC (A) (@ Tc = 25 °C) maxVCE(sat) (V) typQg (nC) typEon (mJ) typEoff (mJ) typIF (A) (@ Tc = 100 °C) maxIF (A) (@ Tc = 25 °C) maxVF (V) typIrrm(A) typQrr (nC) typPackageReferenceApplication